化合物半導体　開発研究者 ～3,000万円

募集職位：化合物半導体　開発研究者

仕事内容：
光通通信用機能性センシング用の化合物半導体エピキャタルウェハーを生産している企業にて、
新商品の研究開発、量産化への研究、リサーチ等

主力製品：ＤＦＢ（分布帰還型）レーザー
・化合物半導体（Compound semiconductor）

この2年で取得した特許は15件。
今年4件、昨年11件、主にＤＦＢに関するものです。
【参考取得特許名】
－高速DFBレーザー
－高速ＤＦＢレーザーエピタキシャル構造
－広温度範囲のＤＦＢレーザー
－高速ＤＦＢレーザー及びその製造方法
－高性能DFBレーザエピタキシャル構造体とその作製方法
－配置数を増やすためのBARバー構造

応募資格：
下記いずれかの分野の研究または経験者
　※チップではなくてウェハーの経験

●特にＤＦＢの経験
1.DFBの構造設計、エピタキシャル成長の経験
2.BH-DFBエピタキシャル成長関連の経験
3.EMLエピタキシャルの経験とEMLチップのプロセス経験

■MOCVD（気相成長法）を用いたエピタキシャル
■エピタキシャルチッププロセス（Chip process）
■エピタキシャル構造設計（Structure design）

勤務地：　アモイ市

年収：　　751万円～3,000万円